موقع متخصص فى التكنولوجيا، الانترنت، الكمبيوتر، الربح من الانترنت، سيو، يوتيوب، هواتف، تقنية

اخر الاخبار

Post Top Ad

your ad spot

الجمعة، 22 ديسمبر 2017

8 جيجا رام DDR4 نانومتر 10 الجيل الثاني من رامات سامسونج

10 Nanometer Class 8- gigabit DDR4 RAM
8- gigabit DDR4 RAM

اعلنت شركة سامسونج الكوريا الجنوبية عن انتاج اول جيل  من رامات 8 جيجا رام
DDR4 10 نانومتر 
(10 Nanometer Class 8- gigabit DDR4 RAM) او ما تسمي بذاكرة الوصول العشوائي ووفقا للشركة فان هذا الجيل من الرامات سوف يقدم اداء جيد وايضا كفاءة فى الطاقة ، وسيكون حجمها اصغر من الرامات ال 8 جيجا السابقة.
ومن المتوقع ان يكون زيادة بنسبة تترواح بين 25 الى 30 فى المئة من انتاجية DDR4 الجيل الثاني عن سابقتها DDR4 من الجيل الاول ، ايضا بالاضافة الى تم ترقية هذا الجيل من ذاكرة الوصول العشوائي حوالى 15 فى المئة فى كفاءة الطاقة و 10 فى المئة زيادة فى مستوى الاداء .
حيث تعمل ذاكرة الوصول العشوائي على 3600 ميجابت فى الثانية لكل دبوس وذلك يعتبر افضل اداء من الرامات السابقة التى كانت تعمل 3200 ميغابت فى الثانية، وقد استخدمت سامسونج لتحقيق هذا شي يدعى (حساسية عالية نظام استشعار البيانات ومخطط فاصل الهواء التدريجي) . حيث قالت سامسونج ان ذاكرة الوصول العشوائي 
( الرامات ) الجديدة لديها نظام استشعار البيانات الذى وضع موخرا والذى سوف يساعد فى تحديد دقيق للبيانات المخزنة فى كل خلية ، وتستمر سامسونج فى اصدار مثل هذه الرامات وزيادة الانتاجية عن غيرها من عملاقة التكنولوجيا مما يساعد فى تحديث اجهزة الحاسب القادمة الاكثر ذكاءا.

اقرأ ايضا :انتل تطلق 6 انواع بروسيسور من نوع بنتيوم الفضي Pentium Silver و سيليرون Celeron

اقرأ ايضا :مكونات الحاسب الالي "مكونات الكمبيوتر"


ليست هناك تعليقات:

إرسال تعليق

Post Top Ad

your ad spot

الرئيسية